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Kingston Technology ValueRAM KVR16N11/8 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR3 1600 MHz - KVR16N11/8

Kingston Technology ValueRAM KVR16N11/8 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR3 1600 MHz - KVR16N11/8

Integral 8GB LAPTOP RAM MODULE DDR3 1600MHZ PC3-12800 UNBUFFERED NON-ECC SODIMM 1.5V 512X8 CL11 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go - IN3V8GNAJKX

Integral 8GB LAPTOP RAM MODULE DDR3 1600MHZ PC3-12800 UNBUFFERED NON-ECC SODIMM 1.5V 512X8 CL11 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go - IN3V8GNAJKX

Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go 1600 MHz - KVR16S11S8/4

Catégorie : Mémoire PC

Disponibilité:
Sur devis
SKU
KVR16S11S8/4
EAN
0740617207781
21,16 € 17,63 €
  • Ordinateur portable 4 Go DDR3 1600 MHz
  • 204-pin SO-DIMM 1 x 4 Go
  • Latence CAS: 11
  • 1.5 V

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du lundi au vendredi de 9h à 18h

General

  • EAN: 0740617207781
  • Constructeur: Kingston Technology

représentation / réalisation

  • Mémoire interne: 4096 Mo

Poids et dimensions

  • Largeur: 67,6 mm
  • Hauteur: 30 mm

Informations sur l'emballage

  • Type d'emballage: SO-DIMM

Données logistiques

  • Code du système harmonisé: 84733020

Autres caractéristiques

  • Organisation des puces: X8
  • Fréquence d'horloge de bus: 1600 MHz
  • Indicateur d'erreurs: Non

Conditions environnementales

  • Température d'opération: 0 - 85 °C
  • Température hors fonctionnement: -55 - 100 °C

Processeur

  • composant pour: Ordinateur portable

Mémoire

  • Mémoire interne: 4 Go
  • Mémoire Bus: 64 bit
  • ECC: Non
  • Mémoire de tension: 1.5 V
  • Type de mémoire mise en cache: Unregistered (unbuffered)
  • Type de mémoire interne: DDR3
  • Fréquence de la mémoire: 1600 MHz
  • Support de mémoire: 204-pin SO-DIMM

Clavier

  • Pays d'origine: Taïwan

Caractéristiques

  • Latence CAS: 11
  • Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go
  • Niveau de mémoire: 1
  • Configuration de module: 512M x 64
  • Temps du cycle de la ligne (TRC): 48,125 ns
  • Refresh row cycle time (TRFC): 260 ns
  • Rayon de temps actif: 35 ns
  • Placage en plomb: Or
  • Disposition de la mémoire: 1 x 4096 Mo