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Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-V9S2T0BW

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Transcend SSD460K 1 To 2.5

Transcend SSD460K 1 To 2.5" Série ATA III 3D NAND - TS1TSSD460K

Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-V9S4T0BW

Catégorie : Disque dur interne HDD & SSD

Disponibilité:
En stock
SKU
MZ-V9S4T0BW
EAN
0887276843698
329,09 € 274,24 €
  • Lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s
  • Plus efficace et moins énergivore
  • Interfaces PCIe® 4.0 x4 et PCIe® 5.0 x2
  • Contrôle thermique intelligent

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Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Grâce au contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus a une performance par watt de 73% supérieure au modèle précédent.

Maxi stockage. Maxi vitesse.
Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.

Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
La performance par watt est améliorée de 73% comparée au modèle précédent, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

General

  • EAN: 0887276843698
  • Constructeur: Samsung

représentation / réalisation

  • Type de mémoire: V-NAND TLC
  • Temps moyen entre pannes: 1500000 h

Poids et dimensions

  • Largeur: 80,2 mm
  • Poids: 9 g
  • Profondeur: 2,38 mm
  • Hauteur: 22,1 mm

Réseau

  • Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES

Conditions environnementales

  • Température d'opération: 0 - 70 °C

Processeur

  • composant pour: PC

Mémoire

  • Vitesse de lecture: 7150 Mo/s
  • Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s

Support de stockage

  • Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To
  • NVMe: Oui
  • Facteur de forme SSD: M.2

Caractéristiques

  • Le chiffrement matériel: Oui
  • Lecture aléatoire (4KB): 850000 IOPS
  • Écriture aléatoire (4KB): 1350000 IOPS
  • Support S.M.A.R.T.: Oui
  • Support TRIM: Oui
  • Version NVMe: 2.0
  • Interface: PCI Express 4.0